先進的陰極系統
先進的電漿陰極可有效減少鍍膜液滴，滿足大部分單層、多層、奈米鍍膜生產需求。
蝕刻 SYS 以提高附著力
IET 蝕刻系統
側面 IET 蝕刻系統可確保蝕刻率均勻，蝕刻率可維持不變。
在實驗室條件下為 0.25um/h。
MET 元蝕刻系統
元蝕刻對於保持硬塗層與基材之間的良好附著力非常重要。
複合塗層的優點
混合式機器的優勢
高速鍍膜率
最經濟的配置
沉積多組份塗層
沉積多結構塗層
PVD 鍍膜技術
先進的電漿陰極可有效減少鍍膜液滴，滿足大部分單層、多層、奈米鍍膜生產需求。
側面 IET 蝕刻系統可確保蝕刻率均勻，蝕刻率可維持不變。
在實驗室條件下為 0.25um/h。
元蝕刻對於保持硬塗層與基材之間的良好附著力非常重要。
高速鍍膜率
最經濟的配置
沉積多組份塗層
沉積多結構塗層
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