Naxau 核心蝕刻技術
基於 20 多年的持續運轉和改進,Naxau 已經開發了弧形專利等離子蝕刻技術 SET® 和 CET®。在鍍膜前,對工具表面進行適當的蝕刻,以達到乾淨且活化的介面,對於成功的電鍍結果至關重要。蝕刻需要去除表面污染物,例如金屬氧化物、水濕、微油和汗水殘渣等。蝕刻也可使表面重新活化,使分子連結開放,讓鍍膜製程有離子結合的可能。
Naxau 的 SET® 和 CET® 技術在鍍膜過程中也可用作氣體電漿源。對於用於工具的M型PVD鍍膜設備,SET®和CET®技術可以將工具鍍層的硬度提高30%以上。對於元件用 PECVD 鍍膜設備,SET® 和 CET® 技術會進一步電離入口氣體中的 C2H2、CH4、SiH4 等,以達到更好的結晶和更高的 DLC 鍍膜硬度。
元件用 PECVD DLC 鍍膜設備
型號 P | P850 | P1200 |
等離子區 (mm) | D680x850 | D680x1200 |
最大載重(公斤) | 1000 | 1500 |
PVD 技術 | PECVD 和濺鍍 | PECVD 和濺鍍 |
蝕刻技術 | SET® 或 CET® | SET® 或 CET® |
可提供塗層 | CrN、a-C:H、a-C:Si:H、 DLC、WCC、ta-C | CrN、a-C:H、a-C:Si:H、 DLC、WCC、ta-C |
Dura 技術 | 可要求 | 可要求 |
陰極數 | 4 | 4 |
最小表面粗糙度 (Ra) | Ra0.05 | Ra0.05 |
佔地面積 D*W*H (mm) | 4600x2300x2200 | 4600x2300x2400 |