纳克豪核心蚀刻技术
基于 20 多年的持续运行和改进,纳克豪已开发出弧形专利等离子蚀刻技术 SET® 和 CET®。在镀膜之前,对工具表面进行适当的蚀刻,以获得清洁和活化的界面,这对电镀的成功至关重要。蚀刻需要去除表面污染物,如金属氧化物、水分、微量油和汗渍碎片等。蚀刻还可以使表面重新活化,从而使分子链开放,离子键可用于镀层工艺。
纳克豪的 SET® 和 CET® 技术还可在镀膜过程中用作气体等离子源。对于用于工具的 M 型 PVD 涂层设备,SET® 和 CET® 技术可将工具涂层的硬度提高 30% 以上。对于用于部件的 PECVD 涂层设备,SET® 和 CET® 技术将使入口气体中的 C2H2、CH4、SiH4 等进一步离子化,以获得更好的结晶和更高硬度的 DLC 涂层。
用于部件的 PECVD DLC 涂层设备
型号 P | P850 | P1200 |
等离子区(毫米) | D680x850 | D680x1200 |
最大装载量(千克) | 1000 | 1500 |
PVD 技术 | PECVD 和溅射 | PECVD 和溅射 |
蚀刻技术 | SET® 或 CET® | SET® 或 CET® |
可提供涂层 | CrN、a-C:H、a-C:Si:H、 DLC, WCC, ta-C | CrN、a-C:H、a-C:Si:H、 DLC, WCC, ta-C |
杜拉技术 | 可申请 | 可申请 |
阴极数 | 4 | 4 |
最小表面粗糙度 (Ra) | Ra0.05 | Ra0.05 |
地面空间 长*宽*高(毫米) | 4600x2300x2200 | 4600x2300x2400 |