纳克豪 PVD 涂层和真空镀膜设备

P 系列 DLC 涂层系统

Naxau-DLC 涂层系统

新一代 PECVD 和溅射技术

P 型基于纳克豪 SPARK® 平台设计,采用 SET® 和 CET® 专利等离子技术。SPARK® 平台具有高度的灵活性,是行业内产量最可靠的平台之一。多种等离子技术可在一台设备上组合使用。

纳克豪核心蚀刻技术

基于 20 多年的持续运行和改进,纳克豪已开发出弧形专利等离子蚀刻技术 SET® 和 CET®。在镀膜之前,对工具表面进行适当的蚀刻,以获得清洁和活化的界面,这对电镀的成功至关重要。蚀刻需要去除表面污染物,如金属氧化物、水分、微量油和汗渍碎片等。蚀刻还可以使表面重新活化,从而使分子链开放,离子键可用于镀层工艺。

纳克豪的 SET® 和 CET® 技术还可在镀膜过程中用作气体等离子源。对于用于工具的 M 型 PVD 涂层设备,SET® 和 CET® 技术可将工具涂层的硬度提高 30% 以上。对于用于部件的 PECVD 涂层设备,SET® 和 CET® 技术将使入口气体中的 C2H2、CH4、SiH4 等进一步离子化,以获得更好的结晶和更高硬度的 DLC 涂层。

 

用于部件的 PECVD DLC 涂层设备

型号 P

P850

P1200

等离子区(毫米)

D680x850

D680x1200

最大装载量(千克)

1000

1500

PVD 技术

PECVD 和溅射

PECVD 和溅射

蚀刻技术

SET® 或 CET®

SET® 或 CET®

可提供涂层

CrN、a-C:H、a-C:Si:H、

DLC, WCC, ta-C

CrN、a-C:H、a-C:Si:H、

DLC, WCC, ta-C

杜拉技术

可申请

可申请

阴极数

4

4

最小表面粗糙度 (Ra)

Ra0.05

Ra0.05

地面空间 长*宽*高(毫米)

4600x2300x2200

4600x2300x2400

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