Оборудование для нанесения PVD-покрытий и вакуумных покрытий Naxau

Naxau-DLC-Coatin-Systems

Технология PECVD и напыления нового поколения

Модель P разработана на базе платформы Naxau SPARK® с запатентованными плазменными технологиями SET® и CET®. Платформа SPARK® обладает высокой степенью гибкости при одной из самых надежных в отрасли производительности. В одном аппарате можно сочетать несколько плазменных технологий.

Технология травления ядра Naxau

Основываясь на более чем 20-летнем опыте непрерывной работы и усовершенствований, компания Naxau разработала запатентованные технологии плазменного травления SET® и CET®. Правильное травление поверхности инструмента для достижения чистого и активированного интерфейса перед нанесением покрытия имеет решающее значение для успешного результата нанесения покрытия. Травление должно удалять поверхностные загрязнения, такие как оксид металла, водяная влага, микрочастицы масла и пота и т. д. Травление также может реактивировать поверхность, чтобы молекулярные связи были открыты и ионные связи стали возможными для процесса нанесения покрытия.

Технологии SET® и CET® компании Naxau также используются в качестве источника газовой плазмы при нанесении покрытий. В оборудовании для нанесения PVD-покрытий на инструменты модели M технологии SET® и CET® позволяют увеличить твердость покрытия инструмента более чем на 30%. Для модели P PECVD оборудования для нанесения покрытий на компоненты, технологии SET® и CET® дополнительно ионизируют входящий газ C2H2, CH4, SiH4 и т.д. для достижения лучшей кристаллизации и более высокой твердости DLC-покрытий.

 

Оборудование для нанесения покрытия PECVD DLC на компоненты

Модель P

P850

P1200

Плазменная зона (мм)

D680x850

D680x1200

Максимальная нагрузка (кг)

1000

1500

Технология PVD

PECVD и напыление

PECVD и напыление

Технология травления

SET® или CET®

SET® или CET®

Доступно покрытие

CrN, a-C:H, a-C:Si:H,

DLC, WCC, ta-C

CrN, a-C:H, a-C:Si:H,

DLC, WCC, ta-C

Технология Dura

Возможно по запросу

Возможно по запросу

Количество катодов

4

4

Минимальная шероховатость поверхности (Ra)

Ra0.05

Ra0.05

Площадь пола Д*Ш*В (мм)

4600x2300x2200

4600x2300x2400

ru_RUРусский